• Collegio di Ingegneria Elettronica, delle Telecomunicazioni e Fisica (ETF). Componente

Corso di laurea di 1° livello

• Fisica I. A.A. 2017/18, INGEGNERIA AEROSPAZIALE. Titolare del corso
• Fisica I. A.A. 2018/19, INGEGNERIA AEROSPAZIALE. Titolare del corso
• Fisica I. A.A. 2019/20, INGEGNERIA AEROSPAZIALE. Titolare del corso
• Fisica I. A.A. 2020/21, INGEGNERIA AEROSPAZIALE. Titolare del corso
• Fisica I. A.A. 2021/22, INGEGNERIA AEROSPAZIALE. Titolare del corso
• Fisica I. A.A. 2022/23, INGEGNERIA AEROSPAZIALE. Titolare del corso

• MPMNT - Materials and Processes for Micro & Nano Technologies

• Laboratorio CHILAB - Materiali e Microsistemi - Chivasso
• Laboratorio Nanoscienze
• Laboratorio Spettroscopie Vibrazionali e Nano-ottiche

Progetti finanziati da contratti commerciali

• Studio di una ottimalenadesione del materiale metallico a quello polimerico, (2018-2019) - Responsabile Scientifico
  Ricerca Commerciale

• Lanzutti, A.; Sordetti, F.; Marin, E.; Andreatta, F.; Carabillo, A.; Querini, M.; Porro, ... (2022)
  The use of ALD and PVD coatings as defect sealants to increase the corrosion resistance of thermal spray coatings. In: EUROCORR 2022 - European Corrosion Congress, Berlin (Germany), 28 Agosto - 1 Settembre 2022
  Contributo in Atti di Convegno (Proceeding)
• Bejtka, K.; Monti, N. B. D.; Sacco, A.; Castellino, M.; Porro, S.; Farkhondehfal, M. A.; ... (2021)
  Zn- and Ti-doped SnO2 for enhanced electroreduction of carbon dioxide. In: MATERIALS, vol. 14. ISSN 1996-1944
  Contributo su Rivista
• Bocchini, Sergio; Chiolerio, Alessandro; Porro, Samuele (2020)
  Method for the preparation of polyaniline/reduced graphene oxide composites. N. brevetto: JP 6684788 (PT170412), propr. brevetto: 4 - Soggetti terzi
  Brevetti
• Bocchini, Sergio; Chiolerio, Alessandro; Porro, Samuele (2015)
  Method for the preparation of polyaniline/reduced graphene oxide composites. N. brevetto: 10-2240855, propr. brevetto: 4 - Soggetti terzi
  Brevetti
• Moran, D. A. J.; Maclaren, D. A.; Porro, S.; Hill, R.; Mclelland, H.; John, P.; Wilson, ... (2011)
  50nm gate-length hydrogen terminated diamond field effect transistors characterization and inspection of operation. In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA, pp. 141-147. ISSN 0272-9172
  Contributo in Atti di Convegno (Proceeding)