Settori ERC

SDG

• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2021/2022 (38. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2020/2021 (37. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2019/2020 (36. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2018/2019 (35. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2017/2018 (34. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2016/2017 (33. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2015/2016 (32. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2014/2015 (31. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2013/2014 (30. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRONICA, 2012/2013 (29. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• DISPOSITIVI ELETTRONICI, 2011/2012 (28. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• DISPOSITIVI ELETTRONICI, 2010/2011 (27. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• DISPOSITIVI ELETTRONICI, 2009/2010 (26. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• DISPOSITIVI ELETTRONICI, 2008/2009 (25. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• DISPOSITIVI ELETTRONICI, 2006/2007 (23. ciclo)
  Politecnico di TORINO

• Collegio di Ingegneria Elettronica, delle Telecomunicazioni e Fisica (ETF). Componente

Dottorato di ricerca

• AN INTRODUCTION TO VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASERS (VCSELs) (didattica di eccellenza). A.A. 2022/23, INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI. Titolare del corso

Corso di laurea magistrale

• CAD of semiconductor devices and processes. A.A. 2017/18, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Titolare del corso
• CAD of semiconductor devices and processes. A.A. 2018/19, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Titolare del corso
• CAD of semiconductor devices. A.A. 2019/20, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Titolare del corso
• CAD of semiconductor devices. A.A. 2020/21, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Titolare del corso
• CAD of semiconductor devices. A.A. 2021/22, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Titolare del corso
• CAD of semiconductor devices. A.A. 2022/23, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Titolare del corso
• Electronic transport in crystalline and organic semiconductors. A.A. 2019/20, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Collaboratore del corso
• Electronic transport in crystalline and organic semiconductors. A.A. 2020/21, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Collaboratore del corso
• Electronic transport in crystalline and organic semiconductors. A.A. 2021/22, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Collaboratore del corso
• Electronic transport in crystalline and organic semiconductors. A.A. 2022/23, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Collaboratore del corso
• Electronic properties of materials. A.A. 2018/19, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Collaboratore del corso
• Electronic properties of materials. A.A. 2017/18, NANOTECHNOLOGIES FOR ICTs (NANOTECNOLOGIE PER LE ICT). Collaboratore del corso

Corso di laurea di 1° livello

• Electronic devices. A.A. 2017/18, INGEGNERIA ELETTRONICA. Collaboratore del corso
• Electronic devices. A.A. 2018/19, INGEGNERIA ELETTRONICA. Collaboratore del corso
• Electronic devices. A.A. 2019/20, INGEGNERIA ELETTRONICA. Collaboratore del corso
• Electronic devices. A.A. 2020/21, INGEGNERIA ELETTRONICA. Collaboratore del corso
• Electronic Circuits. A.A. 2017/18, INGEGNERIA ELETTRONICA. Titolare del corso
• Electronic Circuits. A.A. 2018/19, ELECTRONIC AND COMMUNICATIONS ENGINEERING (INGEGNERIA ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI). Titolare del corso
• Electronic Circuits. A.A. 2019/20, ELECTRONIC AND COMMUNICATIONS ENGINEERING (INGEGNERIA ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI). Titolare del corso
• Electronic Circuits. A.A. 2020/21, ELECTRONIC AND COMMUNICATIONS ENGINEERING (INGEGNERIA ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI). Titolare del corso
• Electronic Circuits. A.A. 2021/22, ELECTRONIC AND COMMUNICATIONS ENGINEERING (INGEGNERIA ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI). Titolare del corso
• Electronic Circuits. A.A. 2022/23, ELECTRONIC AND COMMUNICATIONS ENGINEERING (INGEGNERIA ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI). Titolare del corso
• Electronic devices. A.A. 2021/22, INGEGNERIA ELETTRONICA. Collaboratore del corso
• Electronic devices. A.A. 2022/23, INGEGNERIA ELETTRONICA. Collaboratore del corso

• Multiscale physics-based modeling of optoelectronic devices
• Far-infrared image sensor design
• Si and III-V photonic integrated circuits
• Multiphysics CAD of vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs)
• Efficiency and reliability of visible and UV light emitting diodes
• Full-band Monte Carlo electron transport simulation

• Microwave and Optoelectronics Group (MOG)

Progetti finanziati da contratti commerciali

• Preliminary activity to theoretical investigation of high operating temperature infrared focal plane detector arrays, (2022-2022) - Responsabile Scientifico
  Ricerca Commerciale
• Theoretical investigation of high operating temperature infrared focal plane detector arrays, (2022-2022) - Responsabile Scientifico
  Ricerca Commerciale
• Amend.n.8-Theoretical Investigation of two color infrared detectors - Technical Annex n.9, (2019-2020) - Responsabile Scientifico
  Ricerca Commerciale
• Detectors and Souces for Silicon Photonic Integrated Circuits in th CISCO platform 2 - TOSCA 2, (2019-2020) - Responsabile Scientifico
  Ricerca Commerciale
• Amend.n.7-Theoretical Investigation of two color infrared detectors - Technical Annex n.8, (2018-2019) - Responsabile Scientifico
  Ricerca Commerciale
• Detectors and Souces for Silicon Photonic Integrated Circuits in th CISCO platform - TOSCA, (2018-2019) - Responsabile Scientifico
  Ricerca Commerciale
• Amend.n.6-Investigation of two color infrared detectors - Technical Annex n.7, (2017-2018) - Responsabile Scientifico
  Ricerca Commerciale

• Michele Penna. Corso in Ingegneria Elettrica, Elettronica E Delle Comunicazioni (cycle 37, 2021-in corso)
• Matteo Giovanni Carmelo Alasio. Corso in Ingegneria Elettrica, Elettronica E Delle Comunicazioni (cycle 36, 2020-in corso)
  Argomento della ricerca: Modellazione multifisica di dispositivi optoelettronici per applicazioni ad alta velocita'
  
  Electronic devices: modeling and characterization
  Modeling, simulation and CAD
  Photonic devices and solar cells
• Alberto Gullino. Corso in Ingegneria Elettrica, Elettronica E Delle Comunicazioni (cycle 35, 2019-in corso)
  Argomento della ricerca: Modellizzazione multiscala e multifisica di dispositivi optoelettronica
  
  Electronic devices: modeling and characterization
  Micro- and nanotechnologies, devices, systems and applications
  Modeling, simulation and CAD

• M., Farahmand; C., Garetto; E., Bellotti; K. F., Brennan; Goano, Michele; E., Ghillino; ... (2001)
  Monte Carlo Simulation of Electron Transport in theIII-Nitride Wurtzite Phase Materials System: Binaries andTernaries. In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, vol. 48, pp. 535-542. ISSN 0018-9383
  Contributo su Rivista
• Verzellesi, G.; Saguatti, D.; Meneghini, M.; Bertazzi, Francesco; Goano, Michele; ... (2013)
  Efficiency droop in InGaN/GaN blue light-emitting diodes: Physical mechanisms and remedies. In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 114. ISSN 1089-7550
  Contributo su Rivista
• Goano, Michele; E., Bellotti; E., Ghillino; Ghione, Giovanni; K. F., Brennan (2000)
  Band structure nonlocal pseudopotential calculation of theIII-nitride wurtzite phase materials system. Part I. Binarycompounds GaN, AlN, and InN. In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 88, pp. 6467-6475. ISSN 0021-8979
  Contributo su Rivista
• Goano, Michele; E., Bellotti; E., Ghillino; C., Garetto; Ghione, Giovanni; K. F., Brennan (2000)
  Band structure nonlocal pseudopotential calculation of theIII-nitride wurtzite phase materials system. Part II. Ternaryalloys AlGaN, InGaN, and AlInN. In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 88, pp. 6476-6482. ISSN 0021-8979
  Contributo su Rivista
• Bertazzi, Francesco; Goano, Michele; Bellotti, E. (2010)
  A numerical study of Auger recombination in bulk InGaN. In: APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 97. ISSN 0003-6951
  Contributo su Rivista
• Mandurrino, Marco; Verzellesi, G.; Goano, Michele; Vallone, MARCO ERNESTO; Bertazzi, ... (2015)
  Physics-based modeling and experimental implications of trap-assisted tunneling in InGaN/GaN light-emitting diodes. In: PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, vol. 212, pp. 947-953. ISSN 1862-6319
  Contributo su Rivista
• Bertazzi, Francesco; Goano, Michele; Enrico, Bellotti (2012)
  Numerical analysis of indirect Auger transitions in InGaN. In: APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 101. ISSN 0003-6951
  Contributo su Rivista
• Goano, Michele; Bertazzi, Francesco; Penna, Michele; E., Bellotti (2007)
  Electronic structure of wurtzite ZnO: Nonlocal pseudopotential and ab initio calculations. In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 102. ISSN 0021-8979
  Contributo su Rivista
• Goano, Michele (1993)
  Series expansion of the Fermi-Dirac integral F_j(x) over the entire domain of real j and x. In: SOLID-STATE ELECTRONICS, vol. 36, pp. 217-221. ISSN 0038-1101
  Contributo su Rivista
• E., Bellotti; Bertazzi, Francesco; Goano, Michele (2007)
  Alloy scattering in AlGaN and InGaN: A numerical study. In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 101. ISSN 0021-8979
  Contributo su Rivista