Dottorando in Materiali, Processi Sostenibili E Sistemi Per La Transizione , 40o ciclo (2024-2027)
Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni (DET)
Profilo
Dottorato di ricerca
Tutori
- Simona Donati Guerrieri
- Luca Larcher
- Fabrizio Bonani
Pubblicazioni
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- De Ruvo, Edoardo; Donati Guerrieri, Simona; Bonani, Fabrizio (2026)
Role of Traps in Gate Leakage Current in p-gate GaN HEMTs Through TCAD Simulations. In: 56th Annual Meeting of the Italian Electronics Society (SIE), Napoli (Ita), 25-27 June 2025, pp. 43-50. ISSN 1876-1100. ISBN: 9783032173041
Contributo in Atti di Convegno (Proceeding)