Docente esterno e/o collaboratore didattico
Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni (DET)
Didattica
Insegnamenti
Corso di laurea magistrale
- Challenge@PoliTo by Firms - Enel Grids. A.A. 2022/23, INGEGNERIA GESTIONALE (ENGINEERING AND MANAGEMENT). Collaboratore del corso
Corso di laurea di 1° livello
- Dispositivi elettronici. A.A. 2023/24, INGEGNERIA FISICA. Collaboratore del corso
- Sistemi elettronici, tecnologie e misure. A.A. 2023/24, INGEGNERIA INFORMATICA. Collaboratore del corso
- Dispositivi elettronici. A.A. 2022/23, INGEGNERIA FISICA. Collaboratore del corso
- Sistemi elettronici, tecnologie e misure. A.A. 2022/23, INGEGNERIA INFORMATICA. Collaboratore del corso
- Sistemi elettronici, tecnologie e misure. A.A. 2021/22, INGEGNERIA INFORMATICA. Collaboratore del corso
- Dispositivi elettronici. A.A. 2021/22, INGEGNERIA FISICA. Collaboratore del corso
Pubblicazioni
Pubblicazioni più recenti Vedi tutte le pubblicazioni su Porto@Iris
- Catoggio, E.; Donati Guerrieri, S.; Bonani, F. (2024)
Multibias TCAD Analysis of Trap Dynamics in GaN HEMTs. In: 54th Annual Meeting of the Italian Electronics Society (SIE), Noto, Italy, 6-8 September 2023, pp. 102-109. ISSN 1876-1100. ISBN: 978-3-031-48710-1
Contributo in Atti di Convegno (Proceeding) - Catoggio, Eva; Guerrieri, Simona Donati; Bonani, Fabrizio (2023)
TCAD Analysis of GaN HEMT Output Conductance Through Trap Rate Equation Green’s Functions. In: 2023 Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits (INMMIC), Aveiro, Portugal, 8-11 November 2023, pp. 1-4. ISBN: 979-8-3503-2242-2
Contributo in Atti di Convegno (Proceeding) - Catoggio, E.; Donati Guerrieri, S.; Bonani, F. (2023)
TCAD analysis of GaN HEMT AC parameters through accurate solution of trap rate equations. In: 2023 18th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Berlin, Germany, 18-19 September 2023, pp. 33-36. ISBN: 978-2-87487-073-6
Contributo in Atti di Convegno (Proceeding) - Kouhalvandi, Lida; Catoggio, Eva; DONATI GUERRIERI, Simona (2023)
Synergic Exploitation of TCAD and Deep Neural Networks for Nonlinear FinFET Modeling. In: IEEE EUROCON 2023 - 20th International Conference on Smart Technologies, Torino, Italy, 6-8 July 2023, pp. 542-546. ISBN: 978-1-6654-6397-3
Contributo in Atti di Convegno (Proceeding) - Catoggio, Eva; Guerrieri, Simona Donati; Bonani, Fabrizio (2023)
GaN HEMT trap-induced variability through concurrent noise and AC TCAD modelling. In: 2023 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), Grenoble (France), 17-20 October 2023, pp. 1-4. ISBN: 979-8-3503-3011-3
Contributo in Atti di Convegno (Proceeding)