Crescita e caratterizzazione di ossidi superconduttivi su buffer-layers per l'integrazione in dispositivi a base di silicio
Durata:
24 mesi (2004)
Responsabile scientifico:
Tipo di progetto:
Ricerca Nazionale - PRIN
Abstract
GROWTH AND CHARACTERIZATION OF SUPERCONDUCTING OXIDES ON BUFFER-LAYERS FOR INTEGRATION IN SILICON-BASED DEVICES