Anagrafe della ricerca

SVINBO 8.0 - SILICON VALLEY 8.0 IN PIEMONTE FOR A GREEN AND SMART MOBILITY

Durata:
36 mesi (2024)
Responsabile scientifico:
Tipo di progetto:
National Research
Ente finanziatore:
MINISTERO (Ministero Sviluppo Economico)
Codice identificativo progetto:
CDS000965
Ruolo PoliTo:
Partner

Abstract

“Il Progetto è organizzato attraverso 5 OR-Obiettivi Realizzativi, correlati tra loro e sequenziali, al fine di arrivare a definire i nuovi dispositivi di elettronica di Potenza finali oggetto di studio ed i loro processi di fabbricazione. Alcune attività sono ovviamente dedicate al particolare sviluppo di piattaforme tecnologiche e molte di esse sono correlate tra loro e prevedono l’utilizzo delle stesse risorse umane. Un esempio proviene dallo sviluppo dei nuovi moduli, che utilizzando fra i diversi componenti del package i chip di diodi di potenza al Silicio e al Carburo di Silicio, avranno una forte sinergia con le attività di definizione e implementazione di questi ultimi”. Nell’ambito del Progetto di Investimento, il Capofila mira alla “realizzazione di un nuovo impianto di produzione, moderno e avanzato, con una Piattaforma tecnologica fortemente innovativa che consentirà allo stabilimento di Borgaro Torinese di rafforzare ulteriormente la posizione di leadership all’ interno di Vishay Intertechnology e di posizionare i propri prodotti ai maggiori livelli di competitività nei mercati emergenti legati ai nuovi sistemi di conversione dell’energia, confrontandosi con l’agguerritissima competizione dei produttori asiatici. […] Con il progetto proposto la Vishay Semiconductor Italiana intende realizzare, in collaborazione con il Politecnico di Torino, due nuove linee tecnologiche innovative per i processi ed i materiali utilizzati dedicate una alla fabbricazione di CHIP innovativi, l’altra ad una nuova linea per MODULI di POTENZA entrambe indirizzate a soddisfare le nuove esigenze di efficienza, affidabilità e costo attese dalla transizione energetica in atto. Entrambe le linee tecnologiche si basano su processi e prodotti completamente innovativi che saranno progettati in accordo con le nuove tecnologie che il progetto rende disponibili.”. DISAT verrà coinvolto fin dai primi mesi nelle attività progettuali (a partire dall’OR1-Ricerca e Sviluppo di nuovi diodi di Potenza al Silicio), mediante, dapprima attività di Studio e definizione di specifiche tecniche oltre a Studi di fattibilità, e successivamente attività di ricerca applicata (prevalentemente) e sviluppo sperimentale. In particolare, il DISAT sarà coinvolto principalmente nell’OR4 – Ricerca Industriale finalizzato ad “implementare un laboratorio innovativo sullo scenario nazionale e di interesse su scala internazionale che possa completare l'interfaccia ed il packaging di diversi dispositivi elettronici con particolare riferimento ai dispositivi di potenza”.

Strutture coinvolte

Partner

  • POLITECNICO DI TORINO
  • VISHAY SEMICONDUCTOR ITALIANA SPA - Coordinatore

Parole chiave

Settori ERC

PE3_5 - Semiconductors and insulators: material growth, physical properties

Obiettivi di Sviluppo Sostenibile (Sustainable Development Goals)

Obiettivo 9. Costruire un'infrastruttura resiliente e promuovere l'innovazione ed una industrializzazione equa, responsabile e sostenibile

Budget

Costo totale progetto: € 26.921.610,00
Contributo totale progetto: € 14.413.840,00
Costo totale PoliTo: € 3.503.750,00
Contributo PoliTo: € 2.189.844,00