• Linear and nonlinear energy harvesting system modeling
• Noise modeling in nonlinear circuits and in oscillators
• Quantum Inspired Classical Computation: exploiting collective states to efficiently tackle challenging computation problems
• Semiconductor device modeling, especially with reference to noise modeling, thermal device modeling, variability device modeling, power device modeling
• Stability and chaotic behaviour in nonlinear circuits and systems

Settori ERC

• Premio "Ottavio Bonazzi" conferito da Elettrotecnica, Elettronica, Automazione, Informatica e Telecomunicazioni (AICT), già Associazione Elettronica ed Elettrotecnica Italiana (AEI), Italia (1995)

• Fellow (riconoscimento scientifico) - International Institute of Electrical and Electronic Engineers (IEEE), Stati Uniti (2000-2064)
  Senior Member

• IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES (2022-), Associate Editor di rivista o collana editoriale
• IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES (2022-), Associate Editor di rivista o collana editoriale
• IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES (2021), Guest Editor di rivista o collana editoriale
• IEEE MICROWAVE MAGAZINE (2021), Guest Editor di rivista o collana editoriale
• IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTER-AIDED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS (2016-2022), Associate Editor di rivista o collana editoriale

• IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques (11/6/2023-16/6/2023), Program commitee (membro del comitato scientifico)
• 26th International Symposium on VLSI Design and Test (VDAT-2022) (17/7/2022-19/7/2022), Program commitee (membro del comitato scientifico)
• IEEE MTT-S International Microwave Symposium (19/6/2022-24/6/2022), Program commitee (membro del comitato scientifico)
• IEEE MTT-S International Microwave Symposium (7/6/2021-10/6/2021), Program commitee (membro del comitato scientifico)
• IEEE MTT-S International Microwave Symposium (4/8/2020-6/8/2020), Program commitee (membro del comitato scientifico)
• International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF) (18/6/2019-21/6/2019), Steering commitee
• IEEE MTT-S International Microwave Symposium (2/6/2019-7/6/2019), Program commitee (membro del comitato scientifico)
• IEEE MTT-S International Microwave Symposium (10/6/2018-15/6/2017), Program commitee (membro del comitato scientifico)
• IEEE MTT-S International Microwave Symposium (4/6/2017-9/6/2017), Program commitee (membro del comitato scientifico)
• IEEE MTT-S International Microwave Symposium (22/5/2016-27/5/2016), Program commitee (membro del comitato scientifico)
• IEEE MTT-S International Microwave Symposium (17/5/2015-22/5/2015), Program commitee (membro del comitato scientifico)
• IEEE MTT-S International Microwave Symposium (1/6/2014-6/6/2014), Program commitee (membro del comitato scientifico)
• IEEE MTT-S International Microwave Symposium (2/6/2013-7/6/2013), Program commitee (membro del comitato scientifico)
• IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) (5/12/2011-7/12/2011), Program commitee (membro del comitato scientifico)
• IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) (6/12/2010-8/12/2010), Program commitee (membro del comitato scientifico)
• Fluctuations and Noise 2004 – Noise in circuits and devices, Program chair (presidente/responsabile del comitato scientifico)

• Professore Ordinario, presso Tongji University (21/3/2023-21/4/2023)
• Professore Ordinario, presso Tongji University (28/2/2022-6/5/2022)
• Professore Ordinario, presso Tongji University (2/3/2021-6/5/2021)
• Professore Ordinario, presso Tongji University (4/3/2020-20/5/2020)
• Professore Ordinario, presso Tongji University (4/3/2019-3/4/2019)
• Professore Ordinario, presso Tongji University (5/3/2018-6/4/2018)
• Professore Ordinario, presso Tongji University (26/2/2017-31/3/2017)
• Professore Ordinario, presso University of Illinois at Chicago (6/12/2016-15/12/2027)
• Professore Associato confermato, presso Tongji University (21/3/2016-22/4/2016)
• Professore Associato confermato, presso Tongji University (23/2/2014-18/4/2014)
• Professore Associato confermato, presso Tongji University (24/2/2013-19/4/2013)
• Professore Associato confermato, presso Tongji University (25/2/2011-22/4/2011)
• Visiting Researcher, presso Ferdinand-Braun-Institut Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (17/8/2008-17/10/2008)
• Visiting Researcher, presso Nokia Bell Labs (15/10/1994-15/6/1995)

• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2021/2022 (38. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2020/2021 (37. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2019/2020 (36. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2018/2019 (35. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2017/2018 (34. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2016/2017 (33. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2015/2016 (32. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2014/2015 (31. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2013/2014 (30. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRONICA, 2012/2013 (29. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• DISPOSITIVI ELETTRONICI, 2011/2012 (28. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• DISPOSITIVI ELETTRONICI, 2010/2011 (27. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• DISPOSITIVI ELETTRONICI, 2009/2010 (26. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• DISPOSITIVI ELETTRONICI, 2008/2009 (25. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• DISPOSITIVI ELETTRONICI, 2007/2008 (24. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• DISPOSITIVI ELETTRONICI, 2006/2007 (23. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• DISPOSITIVI ELETTRONICI, 2005/2006 (22. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• DISPOSITIVI ELETTRONICI, 2004/2005 (21. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• DISPOSITIVI ELETTRONICI, 2003/2004 (20. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• DISPOSITIVI ELETTRONICI, 2002/2003 (19. ciclo)
  Politecnico di TORINO

• Collegio di Ingegneria Elettronica, delle Telecomunicazioni e Fisica (ETF). Componente

Corso di laurea magistrale

• Quantum Condensed Matter Physics/Quantum Devices (modulo di Quantum Devices). A.A. 2023/24, QUANTUM ENGINEERING. Collaboratore del corso
• High speed electron devices. A.A. 2017/18, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Titolare del corso
• High speed electron devices. A.A. 2018/19, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Titolare del corso
• High speed electron devices. A.A. 2019/20, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Titolare del corso
• High speed electron devices. A.A. 2020/21, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Titolare del corso
• High speed electron devices. A.A. 2021/22, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Titolare del corso
• High speed electron devices. A.A. 2022/23, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Titolare del corso
• High speed electron devices. A.A. 2023/24, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Titolare del corso
• Solid state physics/Electronic devices (modulo di Electronic devices). A.A. 2019/20, NANOTECHNOLOGIES FOR ICTs (NANOTECNOLOGIE PER LE ICT). Collaboratore del corso
• Solid state physics/Electronic devices (modulo di Electronic devices). A.A. 2020/21, NANOTECHNOLOGIES FOR ICTs (NANOTECNOLOGIE PER LE ICT). Collaboratore del corso
• Solid state physics/Electronic devices (modulo di Electronic devices). A.A. 2021/22, NANOTECHNOLOGIES FOR ICTs (NANOTECNOLOGIE PER LE ICT). Collaboratore del corso
• Solid state physics/Electronic devices (modulo di Electronic devices). A.A. 2022/23, NANOTECHNOLOGIES FOR ICTs (NANOTECNOLOGIE PER LE ICT). Collaboratore del corso
• Solid state physics/Electronic devices (modulo di Electronic devices). A.A. 2023/24, NANOTECHNOLOGIES FOR ICTs (NANOTECNOLOGIE PER LE ICT). Collaboratore del corso

Corso di laurea di 1° livello

• Electronic systems, technologies and measurements. A.A. 2017/18, INGEGNERIA INFORMATICA (COMPUTER ENGINEERING). Collaboratore del corso
• Dispositivi elettronici. A.A. 2017/18, INGEGNERIA ELETTRONICA. Collaboratore del corso
• Dispositivi elettronici. A.A. 2018/19, INGEGNERIA ELETTRONICA. Collaboratore del corso
• Dispositivi elettronici. A.A. 2019/20, INGEGNERIA ELETTRONICA. Collaboratore del corso
• Dispositivi elettronici. A.A. 2020/21, INGEGNERIA ELETTRONICA. Collaboratore del corso
• Dispositivi elettronici. A.A. 2017/18, INGEGNERIA FISICA. Titolare del corso
• Dispositivi elettronici. A.A. 2018/19, INGEGNERIA FISICA. Titolare del corso
• Dispositivi elettronici. A.A. 2019/20, INGEGNERIA FISICA. Titolare del corso
• Dispositivi elettronici. A.A. 2020/21, INGEGNERIA FISICA. Titolare del corso
• Dispositivi elettronici. A.A. 2021/22, INGEGNERIA FISICA. Titolare del corso
• Dispositivi elettronici. A.A. 2022/23, INGEGNERIA FISICA. Titolare del corso
• Dispositivi elettronici. A.A. 2023/24, INGEGNERIA FISICA. Titolare del corso
• Elettronica. A.A. 2017/18, INGEGNERIA BIOMEDICA. Collaboratore del corso
• Elettronica. A.A. 2018/19, INGEGNERIA BIOMEDICA. Collaboratore del corso
• Dispositivi elettronici. A.A. 2021/22, INGEGNERIA ELETTRONICA. Collaboratore del corso
• Dispositivi elettronici. A.A. 2022/23, INGEGNERIA ELETTRONICA. Collaboratore del corso
• Dispositivi elettronici. A.A. 2023/24, INGEGNERIA ELETTRONICA. Collaboratore del corso

• High-speed switching power semiconductor devices
• Noise device simulation
• Efficient sensitivity simulation of semiconductor devices
• Memcomputing
• Complex system approach to microwave circuit stability assessment
• Wireless communications systems in harsh and hostile environments

• Microwave and Optoelectronics Group (MOG)

Progetti finanziati da bandi competitivi

• PORFIRE CRÉATION D'UN ENVIRONNEMENT POUR L'ÉMERGENCE DE PÔLES RÉGIONAUX DE FORMATION, D'INNOVATION ET DE RECHERCHE AU MAGHREB , (2013-2016) - Responsabile Scientifico
  Ricerca UE
• CNT4SIC - POWER DEVICE EFFICIENCY IMPROVEMENT OF INNOVATIVE SIC STRUCTURES USING CARBON NANOTUBES AS DIRECT INTERCONNECT LAYER , (2007-2011) - Responsabile Scientifico
  Ricerca Regionale
• Simulazione di rumore di dispositivi elettronici operanti in regime di ampio segnale e caratterizzazione del rumore di fase in oscillatori , (2003-2005) - Responsabile Scientifico
  Ricerca Nazionale - PRIN

• Eva Catoggio. Corso in Ingegneria Elettrica, Elettronica E Delle Comunicazioni (cycle 35, 2019-2023)
  Tesi: Advanced modeling of nanoscale devices for analog applications
  
  Electronic devices: modeling and characterization
  Micro- and nanotechnologies, devices, systems and applications
  Modeling, simulation and CAD
  Electronic devices: modeling and characterization
  Micro- and nanotechnologies, devices, systems and applications
  Modeling, simulation and CAD

• Song, Kailing; Bonnin, Michele; Traversa, Fabio L.; Bonani, Fabrizio (2023)
  Stochastic analysis of a bistable piezoelectric energy harvester with a matched electrical load. In: NONLINEAR DYNAMICS, vol. 111, pp. 16991-17005. ISSN 0924-090X
  Contributo su Rivista
• Song, Kailing; Bonnin, Michele; Traversa, Fabio L.; Bonani, Fabrizio (2023)
  Stochastic description of a matched-load mechanical energy harvester. In: IEEE EUROCON 2023 - 20th International Conference on Smart Technologies, Torino, Italy, 6-8 July 2023, pp. 596-601. ISBN: 978-1-6654-6397-3
  Contributo in Atti di Convegno (Proceeding)
• Catoggio, E.; Donati Guerrieri, S.; Bonani, F.; Ghione, G. (2023)
  Spatial distribution of microwave device harmonic electrical variables through T-dependent TCAD simulations. In: IEEE EUROCON 2023 - 20th International Conference on Smart Technologies, Torino, Italy, 6-8 July 2023, pp. 552-557. ISBN: 978-1-6654-6397-3
  Contributo in Atti di Convegno (Proceeding)
• Guerrieri, Simona Donati; Catoggio, Eva; Bonani, Fabrizio (2023)
  TCAD assisted design of the Doherty Power Amplifier. In: SOLID-STATE ELECTRONICS, vol. 207. ISSN 0038-1101
  Contributo su Rivista
• Catoggio, Eva; Donati Guerrieri, Simona; Bonani, Fabrizio (2023)
  TCAD Modeling of GaN HEMT Output Admittance Dispersion through Trap Rate Equation Green’s Functions. In: ELECTRONICS, vol. 12. ISSN 2079-9292
  Contributo su Rivista
• Donati Guerrieri, Simona; Catoggio, Eva; Bonani, Fabrizio (2023)
  Analysis of Doherty Power Amplifier Matching Assisted by Physics-Based Device Modelling. In: ELECTRONICS, vol. 12. ISSN 2079-9292
  Contributo su Rivista
• Caravelli, F.; Traversa, F. L.; Bonnin, M.; Bonani, F. (2023)
  Projective embedding of dynamical systems: Uniform mean field equations. In: PHYSICA D-NONLINEAR PHENOMENA, vol. 450. ISSN 0167-2789
  Contributo su Rivista
• Song, Kailing; Bonnin, Michele; Traversa, Fabio L.; Bonani, Fabrizio (2023)
  Moment-Based Stochastic Analysis of a Bistable Energy Harvester with Matching Network. In: APPLIED SCIENCES, vol. 13, pp. 1-15. ISSN 2076-3417
  Contributo su Rivista
• Song, Kailing; Bonnin, Michele; Bonani, Fabrizio; Traversa, Fabio L. (2022)
  Maximizing the Harvested Energy from Mechanical Random Vibrations with a Matching Network: A Stochastic Analysis. In: 2022 IEEE 1st Industrial Electronics Society Annual On-Line Conference (ONCON), Kharagpur, India, 9-11 December 2022, pp. 1-6. ISBN: 979-8-3503-9806-9
  Contributo in Atti di Convegno (Proceeding)
• Angelini, A.; Camarchia, V.; Cappelluti, F.; Donati Guerrieri, S.; Pirola, M.; Bonani, ... (2006)
  Evaluation of GaN HEMT technology development through nonlinear characterization. In: 18th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD'06, Naples, Italy, 04-08 June 2006. ISSN 1063-6854. ISBN: 0-7803-9714-2
  Contributo in Atti di Convegno (Proceeding)