Dottorando in Materiali, Processi Sostenibili E Sistemi Per La Transizione , 40o ciclo (2024-2027)
Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni (DET)
Profilo
Dottorato di ricerca
Tutori
- Simona Donati Guerrieri
- Luca Larcher
- Fabrizio Bonani
Ricerca
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Pubblicazioni
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- De Ruvo, Edoardo; Guerrieri, Simona Donati; Bonani, Fabrizio (2026)
Harmonic Balance TCAD Trap Modeling of GaN HEMTs for Design Technology Co-Optimization. In: 2026 IEEE MTT-S International Conference on Numerical Electromagnetic and Multiphysics Modeling and Optimization (NEMO), Valencia, Spain, 1-3 July 2026, pp. 1-3
Contributo in Atti di Convegno (Proceeding) - De Ruvo, Edoardo; Guerrieri, Simona Donati; Bonani, Fabrizio; Cornigli, Davide; Larcher, ... (2026)
TCAD Simulations of Degradation Mechanism in p-GaN Gate HEMTs under Gate Stress. In: 2026 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Tucson (USA), 22-26 March 2026, pp. 1-6. ISBN: 979-8-3315-8971-4
Contributo in Atti di Convegno (Proceeding) - De Ruvo, Edoardo; Donati Guerrieri, Simona; Bonani, Fabrizio (2026)
Role of Traps in Gate Leakage Current in p-gate GaN HEMTs Through TCAD Simulations. In: 56th Annual Meeting of the Italian Electronics Society (SIE), Napoli (Ita), 25-27 June 2025, pp. 43-50. ISSN 1876-1100. ISBN: 9783032173041
Contributo in Atti di Convegno (Proceeding)