Assegnista di Ricerca
Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni (DET)
Dottorando in Ingegneria Elettrica, Elettronica E Delle Comunicazioni , 38o ciclo (2022-2025)
Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni (DET)
Profilo
Dottorato di ricerca
Titolo della tesi
Quantum transport modeling in III-Nitride optoelectronic devices
Argomento di ricerca
Modelling and analysis of InGaN superlattice solar cells
Tutori
Keywords
Ricerca
Aree/Ambiti/Gruppi di ricerca
Pubblicazioni
Pubblicazioni più recenti Vedi tutte le pubblicazioni su Porto@Iris
- Bertazzi, Francesco; Tibaldi, Alberto; Gonzalez Montoya, Jesus Alberto; Mercinelli, ... (2025)
Transfer fields and Langevin forces for the noise analysis in diffusive nanodevices within the nonequilibrium Green’s function approach. In: PHYSICAL REVIEW APPLIED, vol. 24, pp. 1-13. ISSN 2331-7019
Contributo su Rivista - Nicoletto, Marco; Caria, Alessandro; De Santi, Carlo; Buffolo, Matteo; Alasio, Matteo; ... (2024)
TCAD Modeling and Simulation of Dark Current-Voltage Characteristics in High-Periodicity InGaN/GaN Multiple-Quantum-Wells (MQWs) Solar Cells. In: IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS, vol. 14, pp. 450-458. ISSN 2156-3381
Contributo su Rivista - Mercinelli, Francesco; Tibaldi, Alberto; Goano, Michele; Bertazzi, Francesco (2023)
Subthreshold characteristics of GaN-based LEDs: trap-assisted tunneling and coupled defects. In: 23rd International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD 2023), Turin, Italy, 18 - 21 September 2023, pp. 85-86. ISBN: 979-8-3503-1429-8
Contributo in Atti di Convegno (Proceeding)