Michele Goano

Settori ERC

SDG

• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2025/2026 (41. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2024/2025 (40. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2023/2024 (39. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2022/2023 (38. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2021/2022 (37. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2020/2021 (36. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2019/2020 (35. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2018/2019 (34. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2017/2018 (33. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2016/2017 (32. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2015/2016 (31. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI, 2014/2015 (30. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• INGEGNERIA ELETTRONICA, 2013/2014 (29. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• DISPOSITIVI ELETTRONICI, 2012/2013 (28. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• DISPOSITIVI ELETTRONICI, 2011/2012 (27. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• DISPOSITIVI ELETTRONICI, 2010/2011 (26. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• DISPOSITIVI ELETTRONICI, 2009/2010 (25. ciclo)
  Politecnico di TORINO
• DISPOSITIVI ELETTRONICI, 2007/2008 (23. ciclo)
  Politecnico di TORINO

• Collegio di Ingegneria Elettronica, delle Telecomunicazioni e Fisica. Componente

Dottorato di ricerca

• AN INTRODUCTION TO VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASERS (VCSELs) (didattica di eccellenza). A.A. 2022/23, INGEGNERIA ELETTRICA, ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI. Titolare del corso

Corso di laurea magistrale

• Electronic transport in crystalline and organic semiconductors. A.A. 2025/26, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Collaboratore del corso
• CAD of semiconductor devices. A.A. 2025/26, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Titolare del corso
• CAD of semiconductor devices. A.A. 2024/25, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Titolare del corso
• Electronic transport in crystalline and organic semiconductors. A.A. 2024/25, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Collaboratore del corso
• CAD of semiconductor devices. A.A. 2023/24, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Titolare del corso
• Electronic transport in crystalline and organic semiconductors. A.A. 2023/24, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Collaboratore del corso
• Electronic transport in crystalline and organic semiconductors. A.A. 2022/23, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Collaboratore del corso
• CAD of semiconductor devices. A.A. 2022/23, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Titolare del corso
• CAD of semiconductor devices. A.A. 2021/22, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Titolare del corso
• Electronic transport in crystalline and organic semiconductors. A.A. 2021/22, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Collaboratore del corso
• CAD of semiconductor devices. A.A. 2020/21, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Titolare del corso
• Electronic transport in crystalline and organic semiconductors. A.A. 2020/21, INGEGNERIA ELETTRONICA (ELECTRONIC ENGINEERING). Collaboratore del corso

Corso di laurea di 1° livello

• Electronic Circuits. A.A. 2025/26, ELECTRONIC AND COMMUNICATIONS ENGINEERING (INGEGNERIA ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI). Titolare del corso
• Electronic devices. A.A. 2025/26, INGEGNERIA ELETTRONICA. Collaboratore del corso
• Electronic Circuits. A.A. 2024/25, ELECTRONIC AND COMMUNICATIONS ENGINEERING (INGEGNERIA ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI). Titolare del corso
• Electronic devices. A.A. 2024/25, INGEGNERIA ELETTRONICA. Collaboratore del corso
• Electronic Circuits. A.A. 2023/24, ELECTRONIC AND COMMUNICATIONS ENGINEERING (INGEGNERIA ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI). Titolare del corso
• Electronic devices. A.A. 2023/24, INGEGNERIA ELETTRONICA. Collaboratore del corso
• Electronic Circuits. A.A. 2022/23, ELECTRONIC AND COMMUNICATIONS ENGINEERING (INGEGNERIA ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI). Titolare del corso
• Electronic devices. A.A. 2022/23, INGEGNERIA ELETTRONICA. Collaboratore del corso
• Electronic Circuits. A.A. 2021/22, ELECTRONIC AND COMMUNICATIONS ENGINEERING (INGEGNERIA ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI). Titolare del corso
• Electronic devices. A.A. 2021/22, INGEGNERIA ELETTRONICA. Collaboratore del corso
• Electronic devices. A.A. 2020/21, INGEGNERIA ELETTRONICA. Collaboratore del corso
• Electronic Circuits. A.A. 2020/21, ELECTRONIC AND COMMUNICATIONS ENGINEERING (INGEGNERIA ELETTRONICA E DELLE COMUNICAZIONI). Titolare del corso

• Multiscale physics-based modeling of optoelectronic devices (DET)
• Far-infrared image sensor design (DET)
• Si and III-V photonic integrated circuits (DET)
• Multiphysics CAD of vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) (DET)
• Efficiency and reliability of visible and UV light emitting diodes (DET)
• Full-band Monte Carlo electron transport simulation (DET)

• Microwave and Optoelectronics Group (MOG) (DET)

Progetti finanziati da bandi competitivi

• T2SLMWIR - Computationally guided design of T2SL MWIR photodetectors with higher operating temperatures and larger bandwidths, (2024-2027) - Componente gruppo di Ricerca
  Ricerca Internazionale non UE

Progetti finanziati da contratti commerciali

• Theoretical investigation of high operating temperature infrared detector concepts, (2024-2024) - Responsabile Scientifico
  Ricerca Commerciale
• "Extension of the theoretical investigation of high operating temperature infrared barrier detectors” , (2023-2023) - Responsabile Scientifico
  Ricerca Commerciale
• Theoretical investigation of high operating temperature infrared focal plane detector arrays, (2022-2022) - Responsabile Scientifico
  Ricerca Commerciale
• Preliminary activity to theoretical investigation of high operating temperature infrared focal plane detector arrays, (2022-2022) - Responsabile Scientifico
  Ricerca Commerciale
• Amend.n.8-Theoretical Investigation of two color infrared detectors - Technical Annex n.9, (2019-2020) - Responsabile Scientifico
  Ricerca Commerciale
• Detectors and Souces for Silicon Photonic Integrated Circuits in th CISCO platform 2 - TOSCA 2, (2019-2020) - Responsabile Scientifico
  Ricerca Commerciale
• Amend.n.7-Theoretical Investigation of two color infrared detectors - Technical Annex n.8, (2018-2019) - Responsabile Scientifico
  Ricerca Commerciale
• Detectors and Souces for Silicon Photonic Integrated Circuits in th CISCO platform - TOSCA, (2018-2019) - Responsabile Scientifico
  Ricerca Commerciale
• Amend.n.6-Investigation of two color infrared detectors - Technical Annex n.7, (2017-2018) - Responsabile Scientifico
  Ricerca Commerciale

• Luigi Borge. Corso in Ingegneria Elettrica, Elettronica E Delle Comunicazioni (41^o ciclo, 2025-in corso)
• Edoardo Posteraro. Corso in Ingegneria Elettrica, Elettronica E Delle Comunicazioni (41^o ciclo, 2025-in corso)
• Emanuele Trossarello. Corso in Ingegneria Elettrica, Elettronica E Delle Comunicazioni (41^o ciclo, 2026-in corso)
• Matteo Barbagiovanni. Corso in Ingegneria Elettrica, Elettronica E Delle Comunicazioni (40^o ciclo, 2024-in corso)
• Angelo Mudano'. Corso in Intelligenza Artificiale (40^o ciclo, 2024-in corso)
  Argomento della ricerca: Simulazione Monte Carlo dei fenomeni dinamici legati agli SPAD (avalanche build-up, quenching, reset). Utilizzo di reti neurali per ottimizzare la simulazione numerica (tempo e memoria)
  
  Self-supervised and semi-supervised learning
• Valerio Pagliarino. Corso in Ingegneria Elettrica, Elettronica E Delle Comunicazioni (40^o ciclo, 2024-in corso)
• Sofia Blua. Corso in Ingegneria Elettrica, Elettronica E Delle Comunicazioni (39^o ciclo, 2023-in corso)
• Umberto Follo. Corso in Ingegneria Elettrica, Elettronica E Delle Comunicazioni (38^o ciclo, 2022-in corso)
  Tesi: Design and test results of a 110 nm monolithic CMOS sensor with internal gain for sub-100 ps time-of-flight detectors
  
  Radiation detectors and associated readout electronics
• Francesca Lenta. Corso in Ingegneria Elettrica, Elettronica E Delle Comunicazioni (38^o ciclo, 2022-2026)
  Tesi: Digital readout architectures for sensor arrays
  
  VLSI theory, design and applications
• Francesco Mercinelli. Corso in Ingegneria Elettrica, Elettronica E Delle Comunicazioni (38^o ciclo, 2022-in corso)
  
  Electronic devices: modeling and characterization
  Modeling, simulation and CAD
  Photonic devices and solar cells
• Chiara Ferrero. Corso in Ingegneria Elettrica, Elettronica E Delle Comunicazioni (37^o ciclo, 2021-2025)
  Tesi: Novel pixel CMOS sensors for radiation detection applications and sub-nanosecond timing measurements
• Michele Penna. Corso in Ingegneria Elettrica, Elettronica E Delle Comunicazioni (37^o ciclo, 2021-2025)
  Tesi: Timing performance of FBK Silicon Photomultipliers for biomedical applications: ultimate time resolution and analysis of the avalanche build-up
• Valerio Torrelli. Corso in Ingegneria Elettrica, Elettronica E Delle Comunicazioni (37^o ciclo, 2021-2025)
  Tesi: Vertical-cavity surface-emitting lasers: computer-aided modal and polarization engineering
  
  Electronic devices: modeling and characterization
  Micro- and nanotechnologies, devices, systems and applications
  Modeling, simulation and CAD
  Photonic devices and solar cells
• Stefan Cristi Zugravel. Corso in Ingegneria Elettrica, Elettronica E Delle Comunicazioni (37^o ciclo, 2021-2025)
  Tesi: Advanced digital readout and signal processing techniques for radiation sensors.
• Matteo Giovanni Carmelo Alasio. Corso in Ingegneria Elettrica, Elettronica E Delle Comunicazioni (36^o ciclo, 2020-2024)
  Tesi: Ge-on-Si photodetectors for silicon photonics: multiphysics modeling and design
  
  Electronic devices: modeling and characterization
  Modeling, simulation and CAD
  Photonic devices and solar cells
• Greta Andrini. Corso in Ingegneria Elettrica, Elettronica E Delle Comunicazioni (36^o ciclo, 2020-2024)
  Tesi: Fabrication and characterization of telecom quantum emitter in silicon for quantum technology applications.
  
  Electronic devices: modeling and characterization
  Modeling, simulation and CAD
• Stefano Durando. Corso in Ingegneria Elettrica, Elettronica E Delle Comunicazioni (36^o ciclo, 2020-2024)
  Tesi: Development of Monolithic CMOS Radiation Sensors in 110 nm Technology for Sub-Nanosecond Timing Applications

• M., Farahmand; C., Garetto; E., Bellotti; K. F., Brennan; Goano, Michele; E., Ghillino; ... (2001)
  Monte Carlo Simulation of Electron Transport in theIII-Nitride Wurtzite Phase Materials System: Binaries andTernaries. In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, vol. 48, pp. 535-542. ISSN 0018-9383
  Contributo su Rivista
• Verzellesi, G.; Saguatti, D.; Meneghini, M.; Bertazzi, Francesco; Goano, Michele; ... (2013)
  Efficiency droop in InGaN/GaN blue light-emitting diodes: Physical mechanisms and remedies. In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 114. ISSN 1089-7550
  Contributo su Rivista
• Meneghini, Matteo; De Santi, Carlo; Tibaldi, Alberto; Vallone, Marco; Bertazzi, ... (2020)
  Thermal droop in III-nitride based light-emitting diodes: Physical origin and perspectives. In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 127. ISSN 0021-8979
  Contributo su Rivista
• Goano, Michele; E., Bellotti; E., Ghillino; Ghione, Giovanni; K. F., Brennan (2000)
  Band structure nonlocal pseudopotential calculation of theIII-nitride wurtzite phase materials system. Part I. Binarycompounds GaN, AlN, and InN. In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 88, pp. 6467-6475. ISSN 0021-8979
  Contributo su Rivista
• Mandurrino, Marco; Verzellesi, G.; Goano, Michele; Vallone, MARCO ERNESTO; Bertazzi, ... (2015)
  Physics-based modeling and experimental implications of trap-assisted tunneling in InGaN/GaN light-emitting diodes. In: PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, vol. 212, pp. 947-953. ISSN 1862-6319
  Contributo su Rivista
• Bertazzi, Francesco; Goano, Michele; Bellotti, E. (2010)
  A numerical study of Auger recombination in bulk InGaN. In: APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 97. ISSN 0003-6951
  Contributo su Rivista
• Goano, Michele; E., Bellotti; E., Ghillino; C., Garetto; Ghione, Giovanni; K. F., Brennan (2000)
  Band structure nonlocal pseudopotential calculation of theIII-nitride wurtzite phase materials system. Part II. Ternaryalloys AlGaN, InGaN, and AlInN. In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 88, pp. 6476-6482. ISSN 0021-8979
  Contributo su Rivista
• Bertazzi, Francesco; Goano, Michele; Enrico, Bellotti (2012)
  Numerical analysis of indirect Auger transitions in InGaN. In: APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 101. ISSN 0003-6951
  Contributo su Rivista
• Goano, Michele; Bertazzi, Francesco; Penna, Michele; E., Bellotti (2007)
  Electronic structure of wurtzite ZnO: Nonlocal pseudopotential and ab initio calculations. In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 102. ISSN 0021-8979
  Contributo su Rivista
• E., Bellotti; Bertazzi, Francesco; Goano, Michele (2007)
  Alloy scattering in AlGaN and InGaN: A numerical study. In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 101. ISSN 0021-8979
  Contributo su Rivista