Lorenzo Miri

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Dottorando in Ingegneria Elettrica, Elettronica E Delle Comunicazioni , 39o ciclo (2023-2026)
Dipartimento di Elettronica e Telecomunicazioni (DET)

Profilo

Dottorato di ricerca

Argomento di ricerca

LED Ultravioletti (UV-LED)

Tutori

Interessi di ricerca

Computational Electromagnetics (CEM) and EM simulation
Electronic devices: modeling and characterization
Micro- and nanotechnologies, devices, systems and applications
Modeling, simulation and CAD
Photonic devices and solar cells

Biografia

Mi occupo di simulazioni multifisiche di dispositivi optoelettronici a semiconduttore, utilizzando strumenti TCAD (technology computer aided design) sviluppati internamente dal nostro gruppo di ricerca. In particolare, mi occupo di un tipo specifico di LED, che opera nella banda UVC (Ultraviolet C Light Emitting Diodes), utilizzato in molte applicazioni dalla sterilizzazione al biosensing. Questo tipo di dispositivi integra una giunzione a tunnel per risolvere il problema tecnologico dei p-dopanti per i semiconduttori a base di nitruro. In quest'ottica, per simulare correttamente tali dispositivi, è necessario analizzarli dal punto di vista del trasporto quantistico (approccio NEGF per elettroni e lacune, accoppiati tra loro) e dal punto di vista del trasporto elettronico semiclassico (drift-diffusion). L'obiettivo di questo progetto è ottenere una descrizione combinata del dispositivo che possa approssimare il più possibile il comportamento reale dei veri LED UVC in termini di caratteristiche IV.

Ricerca

Altre attività e progetti di ricerca

Mi occupo di simulazioni multifisiche di dispositivi optoelettronici a semiconduttore, utilizzando strumenti TCAD (technology computer aided design) sviluppati internamente dal nostro gruppo di ricerca. In particolare, mi occupo di un tipo specifico di LED, che opera nella banda UVC (Ultraviolet C Light Emitting Diodes), utilizzato in molte applicazioni dalla sterilizzazione al biosensing. Questo tipo di dispositivi integra una giunzione a tunnel per risolvere il problema tecnologico dei p-dopanti per i semiconduttori a base di nitruro. In quest'ottica, per simulare correttamente tali dispositivi, è necessario analizzarli dal punto di vista del trasporto quantistico (approccio NEGF per elettroni e lacune, accoppiati tra loro) e dal punto di vista del trasporto elettronico semiclassico (drift-diffusion). L'obiettivo di questo progetto è ottenere una descrizione combinata del dispositivo che possa approssimare il più possibile il comportamento reale dei veri LED UVC in termini di caratteristiche IV.

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