Modello elettrotermico autoconsistente, caratterizzazione e progetto di circuiti integrati HEMT su GaN per microonde e onde millimetriche.
Durata:
24 mesi (2010)
Responsabile scientifico:
Tipo di progetto:
Ricerca Nazionale - PRIN
Abstract
Self-consistent electro-thermal modeling, characterization and design of GaN HEMT based microwave and millimeter wave power Ics