Anagrafe della ricerca

Sviluppo di MESFET Field Plate su SiC per applicazioni RF/switching e progetto termico e caratterizzazione di potenza di dispositivi field-plate a semiconduttore composto

Durata:
24 mesi (2006 - 2008)
Responsabile scientifico:
Tipo di progetto:
Ricerca Nazionale - PRIN

Abstract

Development of field-plate (FP) SiC-based MESFETs for RF/switching applications and thermal design and RF characterization of compound semiconductor FP Schottky-barrier FETs and HFETs

Persone coinvolte